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C2D10120 Rev. F
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.6
2.5
1.8
3.0
V
IF
= 10 A T
J=25°C
IF
= 10 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
200
1000
μA
VR
= 1200 V T
J=25°C
VR
= 1200 V T
J=150°C
QC
Total
Capacitive
Charge
61
nC
VR
=
1200
V,
IF
= 10 A
di/dt
= 500 A/
μs
TJ
= 25°C
C
Total
Capacitance
1000
80
59
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
0.48
°C/W
Typical Performance
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
VR Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (μA)
0
500 1000 1500 2000
VF Forward Voltage (V)
I
F
Forward Current (A)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
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